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电子工业集成电路高纯水制备方案

文件大小:0.24MB 格式:pdf 发布时间:2009-10-29 浏览次数:
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【中文关键词】 电子工业  集成电路  高纯水制备方案  
【摘要】 随着电子工业的发展,对高纯水提出了越来越高的质量要求,而高纯水的生产需求增长很快。本例为德国最近建造的用于集成电路产品生产的高纯水系统。它与典型的高纯水系统区别不大,事实上它突出强调了电子工业引起争论的一些熟知问题。
【部分正文预览】

RO 膜一般能去除原水中95 %~99 %的TDS,而对二氧化硅(SiO2)的去除效果则不佳,因此 RO 被认为是预脱矿质过程,为了提高RO的效率,采用了两段 RO系统。这种两段脱盐系统采用了低压复合膜,既能保证水通量,又不降低脱盐率,它所需的操作压力为1.38~1.72MPa ,所以两段 RO 能在低于0.27MPa压差下工作,并大幅度提高了离子的分离性能。若单级 RO 膜的截留率为95%,则盐透过率为5%,两段RO盐的透过率为(0.05)2或 0.0025。因此,通过两段RO计算的截留率应为99.75%,复合膜也能提高 SiO 的截留 率 。RO 膜一般能去除原水中95 %~99 %的TDS,而对二氧化硅(SiO2)的去除效果则不佳,因此 RO 被认为是预脱矿质过程,为了提高RO的效率,采用了两段 RO系统。这种两段脱盐系统采用了低压复合膜,既能保证水通量,又不降低脱盐率,它所需的操作压力为1.38~1.72MPa ,所以两段 RO 能在低于0.27MPa压差下工作,并大幅度提高了离子的分离性能。若单级 RO 膜的截留率为95%,则盐透过率为5%,两段RO盐的透过率为(0.05)2或 0.0025。因此,通过两段RO计算的截留率应为99.75%,复合膜也能提高SiO 的截留率 。

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